特許
J-GLOBAL ID：200903001275720021

半導体装置

発明者：
金丸 俊隆

金丸 俊隆 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 矢作 和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-151763
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347523
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】SOI基板における半導体素子の素子分離性能と集積度を阻害することなく、制御用の第1半導体素子と出力用の第2半導体素子をSOI基板に組み込み、第2半導体素子の発生する熱の問題を解決した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板の内部に絶縁膜3を埋め込んだSOI基板4において、絶縁膜3を挟んだ一方の側の第1半導体基板1に制御用の第1半導体素子10,14が形成され、もう一方の側の第2半導体基板2に出力用の第2半導体素子20,24が形成され、第1半導体素子10と第2半導体素子20が、絶縁膜3を貫通するスルーホール内に形成された配線8を介して接続された半導体装置101〜104とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の内部に絶縁膜を埋め込んだSOI基板において、前記絶縁膜を挟んだ一方の側の第1半導体基板に、制御用の第1半導体素子が形成され、前記絶縁膜を挟んだもう一方の側の第2半導体基板に、出力用の第2半導体素子が形成され、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子が、前記絶縁膜を貫通するスルーホール内に形成された配線を介して接続されることを特徴とする半導体装置。
IPC (14件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 23/52 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/082 ,  H01L 29/786
FI (12件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 C ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/00 301 W ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/08 101 B ,  H01L 27/04 A ,  H01L 21/88 J ,  H01L 23/52 C
Fターム (75件)：
5F032AA01 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA47 ,  5F032AA54 ,  5F032BA01 ,  5F032BA05 ,  5F032BA08 ,  5F032BB08 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032DA02 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA71 ,  5F032DA78 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033MM30 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033SS24 ,  5F033TT07 ,  5F033XX01 ,  5F033XX22 ,  5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038BH16 ,  5F038CA12 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA04 ,  5F048AC01 ,  5F048BA09 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BC11 ,  5F048BC18 ,  5F048BF11 ,  5F048BG14 ,  5F082AA19 ,  5F082AA40 ,  5F082BA03 ,  5F082BA06 ,  5F082BC03 ,  5F082DA02 ,  5F082EA31 ,  5F082GA02 ,  5F082GA03 ,  5F110AA04 ,  5F110AA23 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ17
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 両面回路基板及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-030234   出願人：株式会社東海理化電機製作所
  • 半導体素子およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-323028   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開昭55-148440
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