特許
J-GLOBAL ID：200903001278808574

超短パルスレーザーを用いた微細加工方法及びその加工物

発明者：
安丸 尚樹

安丸 尚樹 について

, 
宮崎 健創

宮崎 健創 について

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木内 淳介

木内 淳介 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について

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アイテック株式会社

アイテック株式会社 について


代理人 (1件)： 川崎 勝弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012391
公開番号（公開出願番号）：特開2003-211400
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2003年07月29日
要約：
【要約】【課題】ナノレベルの微細加工を簡単、確実に行うための方法を提供する。【解決手段】固体材料表面に、低フルーエンスの超短パルスレーザー(フェムト秒レーザー)を偏光制御して照射することで、照射したレーザーの波長より小さいサイズの微細構造を形成する。そして、超短パルスレーザーを直線偏光させて固体材料表面に照射することで、偏光方向とは直交する方向に沿って細長い突起部からなる微細構造を形成でき、また、円偏光させて照射することで粒状の突起部からなる微細構造を形成できる。こうした微細構造のサイズは、照射するレーザーの波長と正の相関関係があり、波長を選択することで微細構造のサイズを制御することができる。
請求項（抜粋）：
所定波長の超短パルスレーザーを低フルーエンスで偏光制御して固体材料表面に照射することで、前記所定波長より小さいサイズの微細構造を形成することを特徴とする微細加工方法。
IPC (3件)：
B81C 5/00 ,  B23K 26/06 ,  B82B 3/00
FI (3件)：
B81C 5/00 ,  B23K 26/06 E ,  B82B 3/00
Fターム (4件)：
4E068AC01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA17 ,  4E068CD05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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