特許
J-GLOBAL ID：200903001301006367
半導体素子の薄膜製造方法及び同方法で薄膜を作製した半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 勝重 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325783
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133307
出願日： 2001年10月24日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 高集積化が著しいシリコン(Si)素子(ULSI)において、ベースとなるトランジスタのゲート絶縁膜にゾルゲル法で作製した酸化ハフニウム(HfO2)やZrO2超薄膜を使用し、製造プロセスを簡略化し、かつ絶縁膜特性の向上により、高性能の高集積化素子(ULSI)を実現する。【解決手段】 四塩化ハフニウム(HfCl4)を窒素雰囲気下にてエタノールに溶解し、ハフニヤゾル液を作る。このゾル液をSiウェハにスピンナー法(500rpm/5秒→2000rpm/30秒)により均一に塗布してゲル膜を得る。ゲル膜を形成したSiウェハを電気炉に投入し、急速加熱法(昇温速度10°C/1分で昇温)により550°C-1300°Cの温度範囲で焼成する。電気炉はゲル膜を設定温度としておき、Siウェハを直接投入して30分間保持して焼成する。
請求項（抜粋）：
シリコンを用いてなる半導体素子において、シリコンウェハ上に、酸化ハフニウム(HfO2)や酸化ジルコニウム(ZrO2)からなる薄膜または超薄膜をゾルゲル法で作製してなることを特徴とする半導体素子の薄膜製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 H
, H01L 29/78 301 G
5F058BC05
, 5F058BD01
, 5F058BD04
, 5F058BD07
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ01
, 5F140AA39
, 5F140AA40
, 5F140AC32
, 5F140BA01
, 5F140BD01
, 5F140BD05
, 5F140BD11
, 5F140BE07
, 5F140BE09
, 5F140BF01
, 5F140BF05
