特許
J-GLOBAL ID：200903001351203350
磁気記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-157484
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110938
出願日： 2001年05月25日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】書き込み時の消費電力が低減された磁気記憶装置を提供すること。【解決手段】本発明の磁気記憶装置10は、相互に交差し且つ離間した第1及び第2の配線14,15と、第1及び第2の配線14,15が相互に交差する領域内に位置し、磁化固着層21、磁気記録層23、及び磁気記録層23と磁化固着層21との間に介在する非磁性層22を備えた磁気抵抗効果膜13と、コバルトを含有する高飽和磁化ソフト磁性材料及び金属-非金属ナノグラニュラ膜のいずれか一つを含み且つ少なくとも上記領域内で第1の配線15の磁気抵抗効果膜13との対向面の裏面と対向する底部及び第1の配線15の両側面とそれぞれ対向する1対の側壁部を形成した第1の磁性膜18とを具備する。
請求項（抜粋）：
相互に交差し且つ離間した第1及び第2の配線と、前記第1及び第2の配線が相互に交差する領域内に位置し、磁化固着層、磁気記録層、及び前記磁気記録層と前記磁化固着層との間に介在する非磁性層を備え、前記磁気記録層は前記第1及び第2の配線のそれぞれに書込電流を流すことにより生じる磁界の方向を第1の方向と前記第1の方向とは逆方向の第2の方向との間で変化させた場合にその磁化の方向を反転させ、前記磁化固着層は前記磁界の方向を前記第1の方向と前記第2の方向との間で変化させた場合にその磁化の方向を実質的に保持する磁気抵抗効果膜と、コバルトを含有する高飽和磁化ソフト磁性材料及び金属-非金属ナノグラニュラ膜のいずれか一つを含み且つ少なくとも前記領域内で前記第1の配線の前記磁気抵抗効果膜との対向面の裏面と対向する底部及び前記第1の配線の両側面とそれぞれ対向する1対の側壁部を形成した第1の磁性膜とを具備することを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/16
, H01F 10/26
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/14 Z
, G11C 11/15
, H01F 10/16
, H01F 10/26
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049AC01
, 5E049AC05
, 5E049BA16
, 5E049DB14
, 5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA31
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083LA27
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083PR00
, 5F083PR04
, 5F083PR21
, 5F083PR22
