特許
J-GLOBAL ID：200903001355401377

凹凸の表面形状を有するタングステン膜の形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
ヨン・ゾン・リ

ヨン・ゾン・リ について

, 
ボク・オン・チョ

ボク・オン・チョ について


出願人/特許権者：
エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061591
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250665
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 高誘電薄膜を利用しながらキャパシタの有効面積を増加させて大容量のキャパシタを製造する方法を提供すること。【構成】 本発明の凹凸の表面形状を有するタングステンを利用する。その形成方法は、半導体基板上にTiN膜を形成する段階と、前記TiN膜の表面上に200°C〜650°Cの温度でタングステンを蒸着する段階とからなる。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にTiN膜を形成する段階と、前記TiN膜をキャパシタの下部電極にパターニングする段階と、前記TiN膜の表面上に200°C〜650°Cの温度で凹凸の表面を有するタングステンを選択蒸着する段階と、前記タングステン膜の表面上に高誘電薄膜を形成する段階と、及び前記高誘電薄膜の上部にキャパシタの上部電極を形成する段階とを含んでなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にTiN膜を形成する段階と、前記TiN膜の表面上に200°C〜650°Cの温度でタングステンを蒸着する段階とからなることを特徴とする凹凸の表面形状を有するタングステン膜の形成方法。
IPC (7件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (5件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 P ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 651
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平2-001154
  • 特開平4-093067
  • 特開平4-088670
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