特許
J-GLOBAL ID：200903001356399104
不揮発性メモリ制御回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264184
公開番号（公開出願番号）：特開平11-110293
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルに書き込んでおいた重要なデータやプログラムが、第三者によって簡単に消去されてしまう恐れがあった。【解決手段】 不揮発性メモリ制御回路は、電源投入時に不揮発性メモリの所定のアドレスのデータを読み出し、そのデータが不揮発性メモリへのデータの書き込み動作/読み出し動作/消去動作のうち少なくとも一動作の禁止を指示するデータである場合、このデータによって禁止を指示された動作を禁止する。
請求項（抜粋）：
データを電気的に書き込み、書き込まれたデータを読み出し、かつ書き込まれたデータを消去することが可能な不揮発性メモリと、該不揮発性メモリへのデータの書き込み、又は該不揮発性メモリからのデータの読み出し若しくは消去を行う書き込み/読み出し/消去手段と、電源投入時に前記不揮発性メモリの所定のアドレスを指定するアドレス信号を発生するアドレス信号発生手段と、該アドレス信号発生手段の発生した前記アドレス信号で指定された前記所定のアドレスのデータを読み出すことを前記書き込み/読み出し/消去手段に指示する信号を発生するデータ読み出し指示手段と、前記書き込み/読み出し/消去手段の動作を指示するコマンドをデコードすると共に、前記データ読み出し指示手段の指示により前記所定のアドレスから読み出した前記データが前記不揮発性メモリへのデータの書き込み動作、読み出し動作及び消去動作のうちの少なくとも一動作の禁止を指示するデータである場合に、該データにより禁止を指示された動作を禁止するコマンドデコーダとを備えたことを特徴とする不揮発性メモリ制御回路。
IPC (2件)：
G06F 12/14 310
, G11C 16/02
G06F 12/14 310 F
, G11C 17/00 601 P
