特許
J-GLOBAL ID：200903001394431801
レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-241665
公開番号（公開出願番号）：特開2007-057709
出願日： 2005年08月23日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】 レジストパターンの方向、疎密差等に関係なく、しかもレジストパターン厚肉化材料の種類に依存することなく、該レジストパターン厚肉化材料により均一に厚肉化され、露光装置の光源における露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジスト組成物等の提供。【解決手段】 本発明のレジスト組成物は、スルホン酸アンモニウム塩を少なくとも含む。前記スルホン酸アンモニウムにおけるスルホン酸イオン部が、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トルエンスルホン酸イオンである態様、アンモニウムイオン部が、一級アンモニウムイオン、二級アンモニウムイオン、三級アンモニウムイオンである態様などが好ましい。本発明のレジストパターンの形成方法は、前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することを含む。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
スルホン酸アンモニウム塩を少なくとも含むことを特徴とするレジスト組成物。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F7/40 511
, H01L21/30 502R
, H01L21/30 568
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096EA02
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096EA06
, 2H096HA05
, 2H096JA04
, 5F046JA22
, 5F046LA18
