特許
J-GLOBAL ID：200903018572356274
レジストパターン膨潤化材料およびそれを用いた微小パターンの形成方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-230427
公開番号（公開出願番号）：特開2003-131400
出願日： 2002年08月07日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 真空深紫外線領域でのフォトリソグラフィー手法によるパターニング技術において、露光限界を越えての微細なパターン描画を簡単に行う方法の確立が課題である。【解決手段】 樹脂と架橋剤からなる水溶性,またはアルカリ可溶性組成物において,非イオン性界面活性剤,または,アルコール系,鎖状または環状エステル系,ケトン系,鎖状または環状エーテル系からなる有機溶剤群から選ばれた有機溶剤のうち少なくともどちらか一方を含むことを特徴とするレジストパターン膨潤化材料。
請求項（抜粋）：
樹脂と架橋剤とからなる水溶性組成物乃至アルカリ可溶性組成物と、非イオン性界面活性剤とを含むことを特徴とするレジストパターン膨潤化材料。
IPC (2件)：
G03F 7/40 511
, H01L 21/027
G03F 7/40 511
, H01L 21/30 570
2H096AA25
, 2H096HA05
, 2H096HA23
, 2H096HA30
, 5F046LA18
