特許
J-GLOBAL ID：200903001401544170

プラズマ誘発損傷を減少させる方法

発明者：
フランシマー カンパーナ-シュミット

フランシマー カンパーナ-シュミット について

, 
カルステン シマンケ

カルステン シマンケ について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-294403
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176047
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【課題】 基板におけるプラズマ誘発損傷を減少させる方法を提供する。【解決手段】 基板216処理のためのプラズマを生成させるのに用いられるプラズマ源電力を堆積後に逓減させる。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理方法であって:(a)基板をチャンバ内に配置するステップと;(b)一つ以上のプロセスガスを該チャンバ内に流入させるステップと;(c)プラズマ源電力を第1電力レベルで加えることにより一つ以上の該プロセスガスからプラズマを生成するステップと;(d)該基板上に材料層を堆積させるステップと;(e)該プラズマ源電力を該第1電力レベル以下に逓減するステップと、を含む、前記方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/316 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/31 C ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/316 X ,  H05H 1/46 A
Fターム (28件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030FA03 ,  4K030JA11 ,  4K030JA16 ,  4K030LA15 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AE23 ,  5F045BB16 ,  5F045CB05 ,  5F045EF05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
  • 特開平3-044472
  • 特開平3-044472
  • シリコン酸化膜の成膜方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-369887   出願人：日本電気株式会社
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