特許

J-GLOBAL ID：200903060970076350

シリコン酸化膜の成膜方法

発明者： 南 健一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-369887
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195858
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理に代わる方法によってウエハ表面を処理し、膜厚のウエハ面内均一性が良好なシリコン酸化膜をプラズマCVD法により成膜する方法を提供する。【解決手段】 本方法は、ウエハの表面に原料ガスとしてTEOS(Tetra Ethoxy Silan)ガス、O2 ガス、Heガスを含むガスを供給してプラズマCVD法によりシリコン酸化膜をウエハ上に成膜するシリコン酸化膜の成膜方法である。本方法では、シリコン酸化膜をプラズマCVD法により成膜前に、O2 雰囲気中又はN2 O(亜酸化窒素)雰囲気中でウエハに熱処理を施す。ウエハの熱処理は、O2 雰囲気中のO2 ガスの分圧、又はN2 O雰囲気中のN2 Oガスの分圧が250Torr以上で、350°C以上450°C以下の範囲の温度で、かつ60秒以上300秒以下の範囲の熱処理時間で行う。

請求項（抜粋）：

原料ガスとしてTEOS(Tetra Ethoxy Silan)ガス、O2 ガス、Heガスを含むガスを成膜チャンバに供給してプラズマCVD法によりシリコン酸化膜をウエハ上に成膜するシリコン酸化膜の成膜方法において、シリコン酸化膜をプラズマCVD法により成膜する前に、O2 雰囲気中でウエハに熱処理を施すことを特徴とするプラズマCVD成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/365

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/365

Fターム (39件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA03 ,  4K030HA04 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC17 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB16 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH14 ,  5F045HA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC01 ,  5F058BC02 ,  5F058BE01 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-094465   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-012107   出願人：ソニー株式会社
• TEOS膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-011309   出願人：ソニー株式会社