特許
J-GLOBAL ID：200903001415968967

固体撮像素子及びその駆動方法

発明者：
馬渕 圭司

馬渕 圭司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-291962
公開番号（公開出願番号）：特開2004-129015
出願日： 2002年10月04日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】CMOSイメージセンサにおける読み出し電圧の低電圧化、ダイナミックレンジの拡大を図る。【解決手段】半導体基板にPウェル領域200が形成され、このPウェル領域200に埋め込みPD119、転送Tr111、増幅Tr112、選択Tr113、リセットTr114、FD115等が設けられ、転送Tr111の動作によってPD119の信号電荷がFD115に転送される。そして、Pウェル領域200には、転送Tr111の電荷転送動作に合わせて負電圧(基板バイアス電圧)を印加することにより、PD119と転送ゲート部とのポテンシャルバランスを制御し、電荷転送の低電圧化を図る。また、PD119の電荷蓄積中に基板バイアス電圧を変化させることにより、感度曲線の角度を修正し、ダイナミックレンジの拡大を図る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成されたウェル領域に、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を所定の読み出しタイミングで読み出す読み出し部とを設け、 前記読み出し部による信号電荷の読み出し時に、前記ウェル領域に所定の基板バイアス電圧を印加する電圧制御手段を有する、 ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H04N5/335 ,  H01L27/146
FI (4件)：
H04N5/335 P ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 F ,  H01L27/14 A
Fターム (22件)：
4M118AA02 ,  4M118AA04 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118DB13 ,  4M118DD10 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  4M118FA50 ,  5C024CX43 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024HX02 ,  5C024HX13 ,  5C024JX21 ,  5C024JX41
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-187763   出願人：ソニー株式会社
  • 特公平4-032589
  • 撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-069154   出願人：オリンパス光学工業株式会社
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