特許
J-GLOBAL ID：200903002674086014

半導体装置及びその製造方法

発明者：
森原 敏則

森原 敏則 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-268727
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130195
出願日： 1994年11月01日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 位置精度を著しく改善することなく、接合リークの増加を回避する。【構成】 基板1上に選択的に複数のLOCOS酸化膜2を、それらの間に拡散領域3を、それぞれ形成する。そしてPSG膜4を全面に堆積させ、更にシリコン酸化膜からなる層間膜5を堆積させる。層間膜5をドライエッチングによって拡散領域3の上方において開口し、PSG膜4を露呈させる。その後VaporHFによってPSG膜4をエッチングして拡散領域3を露呈させ、配線接続層8を拡散領域3上に形成する。【効果】 Vapor HFはPSG膜をエッチングするが、シリコン酸化膜及びシリコンをあまりエッチングしない。そのため、LOCOS酸化膜2の端部のバーズビークを削らないので基板1が露呈せず、拡散領域3と基板1とのPN接合と配線接続層8とが電気的に接続されることがない。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板上に、酸化膜からなる素子分離膜を選択的に形成する工程と、(b)前記素子分離膜に隣接して、前記半導体基板上に拡散領域を形成する工程と、(c)PSG膜を少なくとも前記拡散領域上に形成する工程と、(d)前記工程(c)で得られた構造の全面に酸化膜からなる層間膜を堆積する工程と、(e)前記拡散領域の上方において前記層間膜を選択的に除去して前記PSG膜を露呈させる工程と、(f)弗酸蒸気(Vapor HF)を用いて前記PSG膜をエッチングし、前記拡散領域を露呈させる工程と、(g)前記拡散領域と電気的に接続される配線接続層を前記層間膜を貫通して形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L 21/306 D ,  H01L 21/76 M ,  H01L 21/90 D ,  H01L 21/94 A
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開昭64-080024
  • 特開平4-048752
  • 特開昭63-003437
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