特許
J-GLOBAL ID：200903001447397880

半導体装置の樹脂封止方法及び装置

発明者：
海谷 有一

海谷 有一 について


出願人/特許権者：
山形日本電気株式会社

山形日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-250294
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077135
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 樹脂封入金型を用いてリードフレームを樹脂封止する際、型締め以前にリードフレームを所定の温度に速やかに、かつ均一に加熱昇温する。【解決手段】 封入金型を開き、半導体チップを搭載したリードフレーム1を下金型3b上に載置し、次いでリードフレーム押し付け機構7をリードフレーム1上に移動させ、押し付けピン2を降下させてリードフレーム1を下金型3bに押し付ける。その結果、リードフレーム1と下金型3bとの接触面積が広くなるので、輻射熱による加熱に頼らずにリードフレーム1を短時間で、かつ均一に加熱昇温することができる。昇温によりリードフレーム1が熱膨張し、位置決めピン13が位置決め穴14に入って位置決めされ、次いで型締めを行なって樹脂成形を行なう。
請求項（抜粋）：
半導体チップを搭載したリードフレームを上金型と下金型からなる封入金型を用いて締結し、封止樹脂を溶融させて封入成形を行なう半導体装置の樹脂封止方法において、下金型上にリードフレームを載置し、次いでリードフレーム押し付け機構をリードフレーム上に移動させ、リードフレーム押し付け機構に設けられた押し付けピンを下降させてリードフレームを下金型に押し付け、リードフレームを上金型と下金型で締結する以前に、リードフレームを下金型に強制的に接触させて加熱することを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
Fターム (5件)：
5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DD03 ,  5F061DE06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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