特許

J-GLOBAL ID：200903001449475293

量子層の構造

発明者： バッフェム カール-ハインツ ,  フェケテ ダン
出願人/特許権者： フラウンホッファー ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ.
代理人 (1件)： 三澤 正義
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-524893
公開番号（公開出願番号）：特表平9-510831
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：

【要約】この記述は、主としてレーザーや検出器用の量子層構造に関する。この量子層構造は、両外側のバリア層(S1,S4)の間に少なくとも二つの内層(S2,S3)を配置した少なくとも4層の半導体層(S1,S2,S3,S4)を有する。本発明は、電圧が印加されていなくても一方の内層の伝導帯下縁が絶対最低位を、また他方の内層の価電子帯上縁が絶対最高位を占めること、及び少なくとも絶対最低位もしくは絶対最高位を有するこれら両内層だけにせよ、量子化された電子もしくは正孔の状態を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

主としてレーザーや検出器用の量子層構造であって、両外側のバリア層(S1,S4)の間に少なくとも二つの内層(S2,S3)を配置する少なくとも4層の半導体層(S1,S2,S3,S4)を備えた量子層構造において、 電圧を印加しなくても、一方の内層の伝導帯下縁が絶対最低位を、また他方の内層の価電子帯上縁が絶対最高位をそれぞれに有し、かつ、少なくとも絶対最低位もしくは絶対最高位を有するこれら両内層が、量子化された正孔または電子の状態を有することを特徴とする量子層構造。

IPC (5件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 31/10

FI (5件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 31/10

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平3-042616
  
• 特開平4-174585
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-219938   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-166785
  
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-204768   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-020912   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭59-172785