シリル化剤を用いる低誘電率誘電材料の損傷の修復

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 細川伸哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-534058
公開番号（公開出願番号）：特表2007-508691
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

エッチング剤又はアッシング処理を受けた有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の表面に疎水性を回復するための方法。これらの膜は、これらの膜の低く安定な誘電特性を確保するために集積回路の製造で絶縁材料として使用されている。該方法は、これらの膜に応力誘起ボイドが形成されるのを防止する。有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜は、ビア及びトレンチを形成するためにエッチング剤又はアッシング試薬による処理を受けてパターン化されるが、その処理が以前に存在していた炭素含有部分の少なくとも一部を除去するようなものであるため、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性が削減される。ビア及びトレンチはその後金属で充填され、アニール処理を受ける。膜がエッチング剤又はアッシング試薬に当てられた後、アニール処理にかけられる前に、膜を強化剤組成物と接触させ、炭素含有部分の一部を回復し、有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性を増大させる。

請求項（抜粋）：

基板上の有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜に応力誘起ボイドの形成を防止する方法であって;ここで、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜はその中にビア及びトレンチを形成するようにパターン化され、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜はその後、前に存在していた炭素含有部分の少なくとも一部を除去し前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性を低下させるような少なくとも一つの処理を受け、前記ビア及びトレンチはその後金属で充填され、前記金属はその後アニール処理を受けるものである; 該方法は、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜を、前に存在していた炭素含有部分を除去する少なくとも一つの処理にかけた後、前記ビア及びトレンチに金属を埋め込む前に、炭素含有部分の少なくとも一部を有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜に回復し、有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性を増大するのに有効な濃度及び時間で強化剤組成物に接触させることを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/312 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , C23C 16/40

FI (3件)：

H01L21/312 C , H01L21/90 J , C23C16/40

Fターム (45件)：

4K030AA06 , 4K030BA44 , 4K030BA61 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030HA01 , 4K030LA02 , 4K030LA12 , 5F033HH11 , 5F033MM01 , 5F033QQ00 , 5F033QQ48 , 5F033QQ54 , 5F033RR01 , 5F033RR29 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033SS22 , 5F033XX28 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF01 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG03 , 5F058AG04 , 5F058AG07 , 5F058AG10 , 5F058AH02 , 5F058AH05 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF02 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH11 , 5F058BH12 , 5F058BH16 , 5F058BH20 , 5F058BJ02 , 5F058BJ05

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-158065 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-077698 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-296661 出願人：株式会社日立製作所

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