特許
J-GLOBAL ID：200903001459931955

レジスト及びパターン形成方法

発明者：
小太刀 明子

小太刀 明子 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-120050
公開番号（公開出願番号）：特開平7-325402
出願日： 1994年06月01日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は化学増幅レジストに関し、露光部がアルカリ可溶性になり、酸素プラズマ耐性を有する化学増幅レジスト、特にポジ型の化学増幅レジストを提供する。【構成】 一般式【化60】(式中、R1 〜R3 は少なくとも1つのシリコン原子を有する基を表し、A1は酸によって脱離する基を有する繰り返し単位を表す)又は、一般式【化61】(式中、R4 ,R5 は少なくとも1つのシリコン原子を有する基を表し、A2は酸によって脱離する基を有する繰り返し単位を表す)で示されるベース樹脂と、光酸発生剤とを有する。
請求項（抜粋）：
一般式【化1】(式中、R1 〜R3 は少なくとも1つのシリコン原子を有する基を表し、A1は酸によって脱離する基を有する繰り返し単位を表す)で示されるベース樹脂と、光酸発生剤とを有するレジスト。
IPC (5件)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/302 H
引用特許：
審査官引用 (6件)
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