特許

J-GLOBAL ID：200903001460704300

気相成長用金属ダブルアルコキシド組成物及びその供 給方法及びそれを用いた複合酸化物薄膜の製造方法

発明者： 門倉 秀公 ,  松本 政道 ,  奥原 弓恵
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-144474
公開番号（公開出願番号）：特開平10-298760
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体高集積メモリー、光装置等に用いられる高度に組成、構造が制御された複合酸化物薄膜を、金属ダブルアルコキシドの蒸気を使ってCVD法で作る場合に、安定してその蒸気を発生することのできる組成物および供給方法を提供する。【解決手段】 AnBm(OR)(p+q)(A=アルカリ金属、アルカリ土類金属、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、B=Nb、Ta、Al、R=C2H5、CH(CH3)2、C(CH3)3のいずれかを表す)で表される揮発性の金属ダブルアルコキシドに、低揮発性のAn(OR)pを添加してなる気相成長用金属ダブルアルコキシド組成物。蒸発用容器に上記組成物を入れ蒸発してCVD室に供給し、間欠的または連続的に補給用容器から蒸発用容器に金属ダブルアルコキシドを補給する供給方法。190°CでSrTa2(OEt)12の蒸気を発生する本発明の金属ダブルアルコキシド組成物は、SrTa2(OEt)121式量とSr(OEt)20.4式量の混合物である。

請求項（抜粋）：

An(OR)pとBm(OR)q(ここでRはアルキル基、n,m,p,qはA、Bの価数に対応した自然数を表す)とから形成され、AnBm(OR)(p+q) 式[I]で表される揮発性の金属ダブルアルコキシドにおいて、Bm(OR)qより揮発性の低いAn(OR)pを式[I]の量論比以上含有した気相成長用金属ダブルアルコキシド組成物。

IPC (4件)：

C23C 16/40 ,  C30B 29/26 ,  C30B 29/30 ,  H01B 3/00

FI (5件)：

C23C 16/40 ,  C30B 29/26 ,  C30B 29/30 A ,  C30B 29/30 B ,  H01B 3/00 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-273386   出願人：株式会社高純度化学研究所
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-339274   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社鷺宮製作所
• MOCVD原料用混合有機金属供給装置およびMOCVD原料用混合有機金属の供給方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-174871   出願人：住友化学工業株式会社, 日本電気株式会社