特許
J-GLOBAL ID：200903001461501461

絶縁膜及び電子素子

発明者：
清水 達雄

清水 達雄 について

, 
佐竹 秀喜

佐竹 秀喜 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-197808
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179617
出願日： 2003年07月16日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】誘電率が高く、かつ、リーク電流の小さな絶縁膜及びこれを用いた電子素子を提供することを目的とする。【解決手段】高誘電率をもつがバリアーの低い物質を、誘電率は低いが高いバリアーを持ったもので挟んだ絶縁膜の量子井戸構造あるいは多重量子井戸構造を用いる。または、▲1▼格子定数を基板に対してプラスマイナス1.5%以内にする、▲2▼障壁高さが高いこと、▲3▼誘電率が大きいこと、という3点の条件を満たす絶縁体を用いる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1のバンドギャップ及び第1の比誘電率を有する材料からなる第1の障壁層と、 前記第1の障壁層の上に設けられ、前記第1のバンドギャップよりも小さい第2のバンドギャップ及び前記第1の比誘電率よりも大きい第2の誘電率を有する材料からなる井戸層と、 前記井戸層の上に設けられ、前記第2のバンドギャップよりも大きい第3のバンドギャップ及び前記第2の比誘電率よりも小さい第3の比誘電率を有する材料からなる第2の障壁層と、 を備え、 前記井戸層において量子効果による離散的な準位が形成されてなることを特徴とする絶縁膜。
IPC (5件)：
H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786
FI (7件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M ,  H01L27/04 C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T
Fターム (48件)：
5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF02 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF10 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG44 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG30 ,  5F140CE10
引用特許：
審査官引用 (2件)

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