高誘電率キャパシタおよびその製法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079553
公開番号（公開出願番号）：特開平6-290984
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】半導体記憶装置用キャパシタで、製造プロセスの熱処理においてもキャパシタ特性が劣化しない高誘電率キャパシタを提供すると共に、熱処理の有無にかかわらず高誘電率で漏れ電流の小さいキャパシタ、その製法およびキャパシタ用誘電体膜を提供する。【構成】金属酸化物を主成分とする誘電体材料からなる誘電体膜4と、該誘電体膜を挟んで対向する1対の下部および上部電極3、5が設けられ、上部電極5の上に酸素欠損を防止する保護膜1が形成されている。

請求項（抜粋）：

金属酸化物を主成分とする高誘電率の誘電体材料からなる誘電体膜と、前記誘電体膜を挟んで対向する一対の電極からなる高誘電率キャパシタであって、前記誘電体膜の上部に形成された上部電極の上に前記誘電体材料の酸素欠損を抑制する保護膜が形成されてなる高誘電率キャパシタ。

IPC (4件)：

H01G 4/10 , H01B 3/00 , H01L 27/04 , H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭57-106064
特開平3-157965
特開平3-252162

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