電磁波用の光学素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-251581
公開番号（公開出願番号）：特開2006-071689
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】半導体基板のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波に対して、外部からの操作によって比較的容易に光学特性、機能等を変更ないし制御できる光学素子である。【解決手段】光学素子は、半導体基板01と、半導体基板01のバンドギャップエネルギーより高い光子エネルギーを持つ波長の電磁波08を、任意のパターンの形成されたパターン形成部材05を介して、半導体基板表面に任意のパターン07で照射する照射部04、05、06、11とを有する。照射部による照射で生じた半導体基板表面近傍のフォトキャリアの濃度高低パターンが、半導体基板01のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波02に対して複素屈折率が異なるパターンを生じさせることによって、このパターン上に照射される電磁波02の空間伝搬状態を制御する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板のバンドギャップエネルギーより高い光子エネルギーを持つ波長の第1の電磁波を、任意のパターンの形成されたパターン形成部材を介して、前記半導体基板表面に任意のパターンで照射する照射部とを有し、前記照射部による照射で生じた前記半導体基板表面近傍のフォトキャリアの濃度高低パターンが、前記半導体基板のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の第2の電磁波に対して複素屈折率が異なるパターンを生じさせることによって、このパターン上に照射される前記第2の電磁波の空間伝搬状態を制御することを特徴とする光学素子。

IPC (1件)：

G02B 5/18

FI (1件)：

G02B5/18

Fターム (5件)：

2H049AA02 , 2H049AA04 , 2H049AA33 , 2H049AA44 , 2H049AA59

引用特許：

出願人引用 (1件)

回折格子の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-357586 出願人：富士写真フイルム株式会社

審査官引用 (9件)

光周波数シフター
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-343939 出願人：新日本製鐵株式会社
マトリックス光スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-297157 出願人：横河電機株式会社
特開昭61-091779

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