トレンチゲート型半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-194335
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039838
出願日： 2002年07月03日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】寄生容量が小さいトレンチゲート型半導体装置を提供する。【解決手段】トレンチゲート型半導体装置において、第1導電型の第1半導体層101と、前記第1半導体層と隣接する第2導電型の第2半導体層103と、前記第2半導体層と隣接する前記第1導電型の第3半導体層104と、前記第3半導体層を貫き、前記第2半導体層に達する複数の絶縁ゲート105と、前記絶縁ゲートに接する第2導電型の第4半導体層111と、前記第3半導体層及び前記第4半導体層に電気的に接続する第1主電極109と、前記第1半導体層に電気的に接続する第2主電極100とを備え、第3半導体層115が抵抗を介して前記第1主電極に電気的に接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層と隣接する第2導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層と隣接する第1導電型の第3半導体層と、前記第3半導体層の一主表面から前記第3半導体層を貫き、前記第2半導体層に達する複数の絶縁ゲートと、チャンネルに電気的に接続する第1主電極と、前記第1半導体層に電気的に接続する第2主電極とを備え、前記第3半導体層は前記複数の絶縁ゲートにより第1および第2の領域に区分され、第1の領域には前記チャンネルが形成され、第2の領域は、抵抗を介して前記第1主電極に電気的に接続されていることを特徴とするトレンチゲート型半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (5件)：

H01L29/78 655A , H01L29/78 652A , H01L29/78 653A , H01L29/78 657A , H01L29/78 657E

引用特許：

審査官引用 (5件)

絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-126016 出願人：富士電機株式会社
半導体装置及び電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-045081 出願人：株式会社日立製作所
高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-289786 出願人：株式会社東芝

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