特許
J-GLOBAL ID：200903001490247248
加熱処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-000243
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203778
出願日： 2001年01月04日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 基板の面内温度均一性を高くして基板を加熱処理することができる加熱処理装置を提供すること。【解決手段】 基板Wを所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、基板Wを近接または載置して加熱処理する加熱プレート51と、加熱プレート51の基板配置面に対向して設けられ、加熱プレート51に面する部分が同心状に少なくとも中央に配置された第1の領域71とその外側に配置された第2の領域72とを有し、これら第1および第2の領域71および72をそれぞれ含む第1のヒートパイプ73および第2のヒートパイプ74を有する天板63と、加熱プレート51と天板63との間の空間Sを囲繞する囲繞部材62と、加熱プレート51の外周から天板63の中央に向かう気流を空間S内に形成する気流形成手段66,67と、天板63の第1のヒートパイプ73の温度を制御して第1の領域71の温度を制御する温度制御機構80とを具備する。
請求項（抜粋）：
基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面に基板を近接または載置して加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの基板配置面に対向して設けられ、前記加熱プレートに面する部分が少なくとも第1の領域と第2の領域を有する天板と、前記天板の第1の領域および第2の領域の少なくとも一方の温度を制御する温度制御機構とを具備し、前記温度制御機構は、前記加熱プレートの加熱によって基板に生じる温度分布に応じて、前記天板の第1の領域および第2の領域の少なくとも一方の温度を制御することを特徴とする加熱処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, F28D 15/02
, H05B 3/00 370
F28D 15/02 K
, H05B 3/00 370
, H01L 21/30 567
3K058AA86
, 3K058BA00
, 3K058CE12
, 3K058CE23
, 3K058GA05
, 5F046KA04
, 5F046KA10
