特許

J-GLOBAL ID：200903001510631066

高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  中島 睦雄
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-131075
公開番号（公開出願番号）：特開2004-331853
出願日： 2003年05月09日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、酸によって溶解性が向上する高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、アセチル基又は酸不安定基である。mは0〜4の整数、W1、W2は水素原子、ヒドロキシ基、アセトキシ基、又はそれぞれが結合してメチレン基、エチレン基、-O-を結合する。xは1≦x≦1.5の範囲である。)【効果】本発明によれば、酸不安定基で置換されたヒドロキシインダンがペンダントされたポリシルセスキオキサンをベース樹脂としてポジ型レジスト材料に配合することにより、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さく、その上優れたエッチング耐性を示す。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、酸によって溶解性が向上する高分子化合物。

IPC (4件)：

C08G77/04 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

FI (4件)：

C08G77/04 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R

Fターム (43件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H025FA35 ,  2H025FA41 ,  4J246AA03 ,  4J246BA040 ,  4J246BA12X ,  4J246BA140 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246CA25X ,  4J246CA250 ,  4J246CA270 ,  4J246CA53X ,  4J246CA55X ,  4J246CA56X ,  4J246CA57X ,  4J246CA63X ,  4J246CA630 ,  4J246CB08 ,  4J246FA011 ,  4J246FA081 ,  4J246FA321 ,  4J246GA01 ,  4J246GA02 ,  4J246GD08 ,  4J246HA15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-227633   出願人：信越化学工業株式会社
• レジスト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-083079   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-036755
  
• 特開平4-036755