特許
J-GLOBAL ID:200903001511782874

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須藤 克彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-088831
公開番号(公開出願番号):特開2001-274313
出願日: 2000年03月28日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】 プリント基板、セラミック基板、フレキシブルシート等が支持基板として半導体素子が実装された半導体装置がある。しかしこれらの支持基板は、本来必要でなく余分な材料である。しかも支持基板の厚みが、半導体装置を大型化にする問題もあった。【解決手段】 第1の導電路51Aは、半導体素子52Aよりも低く形成され、導電路51、半導体素子52が絶縁性樹脂50に支持されて半導体装置が実現されている。従って金属細線55Aの頂部を低くでき、半導体装置53の厚みを薄くすることができる。
請求項(抜粋):
分離溝で電気的に分離された複数の導電路と、前記導電路と半導体素子の電極とを接続する金属細線と、前記半導体素子を被覆し且つ前記導電路間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面と前記半導体素子の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備えた事を特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  H01L 25/00
FI (6件):
H01L 23/50 R ,  H01L 23/50 K ,  H01L 23/50 U ,  H01L 23/28 E ,  H01L 25/00 B ,  H01L 23/12 L
Fターム (25件):
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA07 ,  4M109CA10 ,  4M109CA21 ,  4M109DB02 ,  4M109EA02 ,  4M109EA07 ,  4M109EA13 ,  4M109GA02 ,  5F067AA01 ,  5F067AA04 ,  5F067AA05 ,  5F067AA11 ,  5F067AB04 ,  5F067BC12 ,  5F067CA04 ,  5F067DA01 ,  5F067DA16 ,  5F067DC16 ,  5F067DC17 ,  5F067DC18 ,  5F067EA02 ,  5F067EA04 ,  5F067EA06
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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