特許
J-GLOBAL ID：200903001519687528

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
西 恒寛

西 恒寛 について

, 
大澤 洋一

大澤 洋一 について

, 
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263257
公開番号（公開出願番号）：特開2001-083695
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【解決手段】 ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有し、酸発生剤が下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩であることを特徴とする、ArFエキシマレーザー用レジスト材料。【化1】(式中、R1は水酸基、ニトロ基、又はO、N又はS原子を含んでも良い炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。また、2個のR1は環を形成しても良く、その場合にはR1はO、N又はS原子を含んでも良い炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を示す。K-は非求核性対向イオンを示す。xは1又は2、yは0〜3の整数を示す。)【効果】 本発明のレジスト材料は、ArFエキシマレーザー光に感応し、感度、解像性に優れ、また厚膜化が可能なためエッチングにも有利であるために、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。
請求項（抜粋）：
ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有し、酸発生剤が下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩であることを特徴とする、ArFエキシマレーザー用レジスト材料。【化1】(式中、R1は水酸基、ニトロ基、又はO、N又はS原子を含んでも良い炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。また、2個のR1は環を形成しても良く、その場合にはR1はO、N又はS原子を含んでも良い炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を示す。K-は非求核性対向イオンを示す。xは1又は2、yは0〜3の整数を示す。)
IPC (7件)：
G03F 7/004 503 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  C08L101/16 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F 7/004 503 A ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/039 601 ,  C08L101/00 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (23件)：
2H025AA01 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BJ01 ,  2H025BJ04 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA29 ,  4J002BG011 ,  4J002BG031 ,  4J002BG071 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002EV296 ,  4J002FD156 ,  4J002FD200 ,  4J002FD310 ,  4J002GP03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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