特許
J-GLOBAL ID：200903001526939354

処理装置及びその運転方法

発明者：
永関 一也

永関 一也 について

, 
平山 祐介

平山 祐介 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-264529
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077897
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 ガス循環機構を介して排気ガスの一部を循環させると処理ガスの排気量及び使用量を低減することができるが、排気ガス中にはエッチングによる副生成物が不純物として含まれているため、排気ガスを循環させる間にガス循環機構においても不純物が付着、堆積することになる。そして、ガス循環機構の堆積物が循環流で剥離し、パーティクルの原因になる。【解決手段】 本発明の処理装置10は、ガス供給機構15を介してシャワーヘッド13の第1ガス供給孔133から処理室11内に処理ガスを供給し、ガス排気機構14を介して処理室11内から処理後のガスを排気すると共にガス循環機構21を介してシャワーヘッド13の第2ガス供給孔135から処理室11内に排気ガスの一部を戻す処理装置であって、ガス排気機構14及びガス循環機構21に加熱手段25を設けものである。
請求項（抜粋）：
ガス供給機構を介して第1ガス供給孔から処理室内に処理ガスを供給し、ガス排気機構を介して上記処理室内から処理後のガスを排気すると共にガス循環機構を介して第2ガス供給孔から上記処理室内に排気ガスの一部を戻す処理装置であって、上記ガス排気機構及び上記ガス循環機構に加熱手段を設けことを特徴とする処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31
FI (5件)：
B01J 19/08 H ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 N
Fターム (51件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075AA62 ,  4G075AA63 ,  4G075AA65 ,  4G075BC06 ,  4G075BD10 ,  4G075BD14 ,  4G075CA02 ,  4G075CA12 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA01 ,  4G075EB01 ,  4K057DA01 ,  4K057DA18 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE20 ,  4K057DJ03 ,  4K057DM03 ,  4K057DM37 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA14 ,  5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC04 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EG09 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-299280   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
  • 半導体装置の製造方法および製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331415   出願人：松下電子工業株式会社
  • 真空排気装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-294377   出願人：株式会社荏原製作所

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