特許

J-GLOBAL ID：200903001575678817

単結晶半導体基板の上に薄膜を沈着する方法

発明者： グレン ディー.ウィルク ,  イ ウェイ ,  ロバート エム.ウォーレス
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-210779
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079376
出願日： 1997年08月05日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 単結晶半導体基板の上に極めて薄い薄膜を比較的低い温度で沈着する方法を提供する。【解決手段】 1つの実施例では、基板の少なくとも1つの領域の上に酸化されたシリコン層(この酸化されたシリコン層は天然の酸化物であることができる)を作成する段階、そしてシリコンを含有するフラックスを酸化物の表面に供給する間基板を真空中で熱的に焼き鈍すことで酸化されたシリコン層を除去する段階を有する。酸化されたシリコン層が除去された直後に、薄膜が作成される。シリコンを含有するフラックスは、酸化されたシリコン層の頂部の上にシリコンを含有する層を沈着するには不十分であり、そしてシリコン基板と酸化されたシリコン層との間でのSiO形成反応を実質的に抑制するのになお十分である。

請求項（抜粋）：

基板の第1領域の上に酸化された第1シリコン層を作成する段階と、前記基板を真空中に配置する段階と、シリコンを含有するフラックスを前記基板に供給する段階であって、前記フラックスが前記酸化された第1シリコン層の上にシリコンを含有する層を沈着するのには不十分であるがしかし前記シリコン基板と前記酸化された第1シリコン層との間でのSiO形成反応を実質的に抑制するのには十分である、前記シリコンを含有するフラックスを前記基板に供給する段階と、前記酸化された第1シリコン層が前記基板の前記第1領域から除去されるまで前記フラックスの供給を持続する段階と、前記基板の前記第1領域の上に非エピタクシャル薄膜を作成する段階と、を有する、単結晶シリコン基板の上に非エピタクシャル薄膜を作成する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/316 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 酸化シリコン薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-210595   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-090030   出願人：株式会社東芝