特許

J-GLOBAL ID：200903001620573592

半導体素子

発明者： 只友 一行 ,  岡川 広明 ,  大内 洋一郎 ,  常川 高志
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-393229
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198563
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系化合物半導体素子に長期信頼性を施与し、しかも素子特性を低下させることのない表面保護膜を備えた半導体素子を提供すること。【解決手段】 サファイア基板1上にバッファ層2を介して第一導電型の半導体層31、発光層32、第二導電型の半導体層33を順次成長してなり、ワイヤーボンディング用電極41、42からなる窒化物系発光素子の表面に、素子構造の成長技術であるMOVPEを使って、非晶質又は多結晶窒化アルミニウムを主成分とする表面保護膜5を低温で形成することにより、機械的に、熱的に、化学的に安定した表面に変える事により素子の信頼性を向上する。

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体素子の表面を、Al<SB>y</SB>In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>N(0≦x<1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で示される保護膜で覆ったことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (21件)：

5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045CB04 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045HA13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-202820   出願人：株式会社東芝
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-236845   出願人：住友化学工業株式会社
• 特開平2-068968
  
• 特開平2-068968