特許
J-GLOBAL ID：200903001641197876
エレクトロルミネッセント素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-227222
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071286
出願日： 2002年08月05日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】本発明は、有機EL層のパターニングが容易であり、かつ、光触媒の影響の少ないEL素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、電極層を準備し、前記電極層上または前記電極層上に成膜されている電荷注入輸送層上に、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解除去され、前記電極層または前記電荷注入輸送層とは液体との接触角が異なる分解除去層を形成する工程と、基板上に光触媒を含有する光触媒処理層が形成されている光触媒処理層基板を用い、前記光触媒処理層および前記分解除去層を200μm以下の間隙をおいて配置した後、前記分解除去層の分解除去される領域にエネルギーが照射されるように、所定の方向からエネルギーをパターン照射し、前記分解除去層をパターン状に形成する工程と、前記光触媒処理層を前記分解除去層から取り外す工程と、前記分解除去層のパターンに従い、有機EL層を電極層上または分解除去層上に形成する工程とを少なくとも有することを特徴とするEL素子の製造方法を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電極層を準備し、前記電極層上または前記電極層上に成膜されている電荷注入輸送層上に、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解除去され、前記電極層または前記電荷注入輸送層とは液体との接触角が異なる分解除去層を形成する分解除去層形成工程と、
基板上に光触媒を含有する光触媒処理層が形成されている光触媒処理層基板を用い、前記光触媒処理層および前記分解除去層を200μm以下の間隙をおいて配置した後、前記分解除去層の分解除去される領域にエネルギーが照射されるように、所定の方向からエネルギーをパターン照射し、前記分解除去層をパターン状に形成する分解除去層パターニング工程と、
前記光触媒処理層を前記分解除去層から取り外す取り外し工程と、
前記分解除去層のパターンに従い、有機エレクトロルミネッセント層を電極層上または電荷注入輸送層上に形成する有機エレクトロルミネッセント層形成工程と、
を少なくとも有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA01
