特許
J-GLOBAL ID:200903026720199364

EL素子とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-070493
公開番号(公開出願番号):特開2001-257073
出願日: 2000年03月14日
公開日(公表日): 2001年09月21日
要約:
【要約】【課題】 より簡便に製造できるEL素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 基体と、前記基体上に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成されたEL層と、前記EL層上に形成された第2電極から少なくともなるEL素子であって、前記基体と第2電極との間のいずれかの位置に光触媒含有層が少なくとも1層形成されてなる。
請求項(抜粋):
基体と、前記基体上に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成されたEL層と、前記EL層上に形成された第2電極から少なくともなるEL素子であって、前記基体と第2電極との間のいずれかの位置に光触媒含有層が少なくとも1層形成されてなることを特徴とする、EL素子。
IPC (2件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (2件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (8件):
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01
引用特許:
審査官引用 (7件)
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