強誘電性薄膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：朝日奈宗太 , 秋山文男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-083287
公開番号（公開出願番号）：特開2005-199254
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】比較的簡便な方法(被覆条件、手法など)で、種々の基材に適用可能なI型結晶構造のフッ化ビニリデン単独重合体の強誘電性薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】フッ化ビニリデン単独重合体からなる強誘電性薄膜の形成方法であって、(i)フッ化ビニリデンをラジカル重合開始剤の存在下、ラジカル重合することにより、I型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体原末を製造する工程、(ii)前記I型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体原末から得られるI型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体を用いて基材表面に薄膜を形成する工程、および(iii)前記工程(ii)で形成したフッ化ビニリデン単独重合体の薄膜を分極処理する工程を含む方法。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

フッ化ビニリデン単独重合体からなる強誘電性薄膜の形成方法であって、つぎの(i)、(ii)および(iii)の工程を含む形成方法。 (i)フッ化ビニリデンをラジカル重合開始剤の存在下、ラジカル重合することにより、I型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体原末を製造する工程。 (ii)前記I型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体原末から得られるI型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体を用いて基材表面に薄膜を形成する工程。 (iii)前記工程(ii)で形成したフッ化ビニリデン単独重合体の薄膜を分極処理する工程。

IPC (4件)：

B05D7/24 , B05D3/14 , C23C14/12 , H01L21/312

FI (4件)：

B05D7/24 302L , B05D3/14 , C23C14/12 , H01L21/312 A

Fターム (40件)：

4D075BB24Z , 4D075BB81Z , 4D075BB85Y , 4D075BB91Z , 4D075BB92Z , 4D075BB93Z , 4D075CA21 , 4D075DA06 , 4D075DB01 , 4D075DB04 , 4D075DB06 , 4D075DB07 , 4D075DB14 , 4D075DC16 , 4D075DC19 , 4D075DC21 , 4D075DC30 , 4D075EA07 , 4D075EB17 , 4K029AA02 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA03 , 4K029BA62 , 4K029BB02 , 4K029BC00 , 4K029CA01 , 4K029DB06 , 4K029DB10 , 4K029EA01 , 4K029GA00 , 4K029GA01 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AD09 , 5F058AF01 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058AH04

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭56-57811号公報
特開昭59-117503号公報
特開昭63-93736号公報

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審査官引用 (6件)

焦電型赤外線センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-195626 出願人：関西ティー・エル・オー株式会社
高分子の超薄膜加工法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-563295 出願人：シンフイルムエレクトロニクスエイエスエイ
特開昭55-126905

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引用文献：

審査官引用 (2件)

合成高分子I, 19710120, 再版, 第356頁
プラスチック材料講座・ふっ素樹脂, 19691031, 初版発行, 221頁、229〜231頁

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