特許

J-GLOBAL ID：200903001642510349

基板の処理装置

発明者： 水谷 洋二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-030940
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237492
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 ウェハの処理時間を短縮する。【解決手段】 絶縁膜形成処理工程を有するウェハ処理装置1の第2処理ステーション4に,枚葉式にウェハWの硬化処理を行う硬化処理ユニット65を設ける。硬化処理ユニット65には,ウェハWを載置して加熱する載置台とウェハW表面に電子線を照射する照射装置を設ける。そして,ウェハW表面に形成された層間絶縁膜の硬化処理を,ウェハWを加熱しながらウェハW表面に電子線を照射することによって行う。これによって,高エネルギーの電子線が層間絶縁膜に照射され,硬化処理時間が短縮される。また,ウェハ処理装置1における一連のウェハ処理が全て枚葉式で行うことが可能になるので,ウェハ処理時間の短縮化が図られる。

請求項（抜粋）：

基板の処理装置であって,絶縁膜となる塗布液を基板に塗布する塗布ユニットを有する第1の処理部と,一枚ずつ基板に電子線を照射して,基板上の前記絶縁膜を硬化させる硬化処理ユニットを有する第2の処理部と,前記第1の処理部と前記第2の処理部との間で基板を搬送する搬送機構を有することを特徴とする,基板の処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  B05C 9/12 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/31 A ,  B05C 9/12 ,  H01L 21/90 Q

Fターム (25件)：

4F042AA07 ,  4F042DB04 ,  4F042DB17 ,  4F042DB52 ,  4F042DF07 ,  4F042DF25 ,  4F042DF29 ,  4F042EB21 ,  4F042EB24 ,  4F042EB30 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033SS22 ,  5F033XX34 ,  5F045AB31 ,  5F045AB39 ,  5F045BB08 ,  5F045CB05 ,  5F045EB19 ,  5F045EJ02 ,  5F045EK09 ,  5F045EN05 ,  5F045HA13 ,  5F045HA16 ,  5F045HA19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347646   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 電子ビーム放射を用いてSOG膜を硬化させる方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-534259   出願人：アライドシグナル・インコーポレーテッド