多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-347646
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183235
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】基板上に薄膜を形成したり、形成した薄膜に対してアニールを行ったりする各種処理を機密性を保ったままで連続的に行う。【構成】基板を搬送するためのロボットアーム108を備えた搬送室107と、該搬送室を介して連結された複数の処理室(チャンバー)103〜106を備え、搬送室を介して基板109を各処理室に搬入搬出することで、必要とする処理を機密性を保持した状態で連続して行う。そして処理室の少なくとも一つが減圧熱CVD法による珪素膜の作製機能を有し、他の処理室の少なくとも一つがプラズマCVD法による酸化珪素膜あるいは窒化珪素膜の作製機能を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

複数の減圧可能な処理室を有し、前記複数の処理室は減圧可能な共通室を介して連結されており、前記共通室には各処理室間において基板を搬送するための手段を有し、前記複数の処理室の内の少なくとも一つは減圧熱CVDによる珪素膜の成膜が可能であり、前記複数の処理室の内の少なくとも一つはプラズマCVDによる酸化珪素膜あるいは窒化珪素膜の成膜が可能であることを特徴とする多目的基板処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/40 , C23C 16/44 , C23C 16/50 , H01L 21/316 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-137613
排気装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-169059 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-087877 出願人：株式会社日立製作所

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