特許
J-GLOBAL ID：200903064132505849
電子ビーム放射を用いてSOG膜を硬化させる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-534259
公開番号（公開出願番号）：特表平11-505670
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】半導体ウエーハに形成されたSOGを硬化させる手段を提供する電子ビーム露光方法が記載され、この方法は、多層集積回路を製造するプロセスにおいて、導電金属層を絶縁すると共に、形態を平坦化する。本方法は、ソフトな真空環境の中で大面積で均一な電子ビーム露光装置を用いる。硬化されていないシロキサンSOGで被覆されたウエーハが、SOGの厚さ全体を貫通するに十分なエネルギを有する電子によって照射され、同時に、赤外線ヒータによって加熱される。ウエーハは、所定の照射量の電子に露呈され、同時に、ソフトな真空環境の中で最大温度まで上昇される。次に、電子ビーム及び赤外線ヒータを停止し、基板は、真空から取り出されるまで冷却される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上のSOG材料を硬化させるための方法であって、 半導体基板の上に形成されたSOG層を真空チャンバの中に入れてそこに残す工程と、 前記SOG層の表面全体を実質的に均一に露光すると共に前記層の厚さ全体にわたって貫通するに十分なエネルギを有する大面積電子ビームによって、SOG層を照射する工程と、 同時に、前記SOG層を比較的低い温度に維持しながら、前記SOG層に熱を与える工程とを備え、 これにより、クラック又は他の損傷を生ずることなく、前記SOG層を硬化させることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 541 Z
, H01L 21/31 A
