マイクロ波半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-015025
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226408
出願日： 1994年02月09日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 PHS構造のFETにおいて、熱抵抗の上昇を伴なうことなく、またアッセンブリ上の問題を生ずることなく容易に出力アップのためのソース・ドレイン間のピッチ短縮を達成する。【構成】半絶縁性半導体基板11表面の活性領域に形成されたソース2、ゲート4およびドレイン3の各電極を備えた単位電界効果トランジスタを電気的に複数個並列接続して構成された電力用マイクロ波半導体装置において、ソース・ドレイン間の活性領域部13の半導体基板裏面に設けられた溝部12と、前記溝部に充填された高熱伝導率の金属部材14とを具備したことを特徴とするマイクロ波半導体装置。また、溝部がストライプ状の溝でなることを特徴とするマイクロ波半導体装置。

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板表面の活性領域に形成されたソース、ゲートおよびドレインの各電極を備えた単位電界効果トランジスタを電気的に複数個並列接続して構成された電力用マイクロ波半導体装置において、ソース・ドレイン間の活性領域部の半導体基板裏面に設けられた溝部と、前記溝部に充填された高熱伝導率の金属部材とを具備したことを特徴とするマイクロ波半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 23/12 301

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-240025 出願人：富士通株式会社
特開平3-159137
特開昭63-198377

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