磁気メモリ及びその書き込み方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-092262
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303801
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】小さな電流でクロストークのない書き込みが可能な磁気メモリ及びその書き込み方法を提供することを目的とする。【解決手段】書き込み電流を構成する電子をスピン偏極させるスピン偏極手段(S)と、前記書き込み電流を構成する電子をホットエレクトロンにするホットエレクトロン生成手段(H)と、前記スピン偏極手段によりスピン偏極され、前記ホットエレクトロン生成手段によりホットエレクトロンにされた前記書き込み電流によって磁化(M)が反転される磁性層 (F)と、を備えたことを特徴とする磁気メモリを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

書き込み電流を構成する電子をスピン偏極させるスピン偏極手段と、前記書き込み電流を構成する電子をホットエレクトロンにするホットエレクトロン生成手段と、前記スピン偏極手段によりスピン偏極され、前記ホットエレクトロン生成手段によりホットエレクトロンにされた前記書き込み電流によって磁化が反転される磁性層と、を備えたことを特徴とする磁気メモリ。

IPC (3件)：

H01L27/105 , G11C11/15 , H01L43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 110 , H01L43/08 Z

Fターム (8件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA15 , 5F083HA06 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁化制御方法、情報記憶方法、磁気機能素子および情報記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-119589 出願人：ソニー株式会社
磁性体トンネル接合素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-092034 出願人：株式会社東芝
スピン伝導素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-267626 出願人：株式会社東芝

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