半導体パターン評価システム及びパターン形成プロセス制御方法並びにプロセス監視方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-033522
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247394
出願日： 2003年02月12日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】パターンの立体形状情報を非破壊で得る手段を実現し、これらパターンの立体形状情報とデバイス特性の関係を評価する半導体パターン評価システムを提供する。【解決手段】評価対象パターン立体形状の特徴を特徴量として定量化する特徴量算出手段1002と、パターン立体形状の特徴量とその特徴量を有するパターンを含む回路のデバイス特性との関係を記録したデータベース401と、特徴量算出手段1002により定量化された被評価対象パターン立体形状の特徴量及びデータベース401に記録された情報に基づいて、被評価対象パターンにより形成されるデバイス回路の特性を推定するデバイス特性推定手段1003とを備えた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被評価対象パターンの立体形状の特徴を特徴量として定量化する特徴量算出手段と、パターン立体形状の特徴量とその特徴量を有するパターンを含む回路のデバイス特性との関係を記録したデータベースと、前記特徴量算出手段により定量化された被評価対象パターン立体形状の特徴量及び前記データベースに記録された情報に基づいて、前記被評価対象パターンにより形成されるデバイス回路の特性を推定するデバイス特性推定手段とを備えたことを特徴とする半導体パターン評価システム。

IPC (3件)：

H01L21/66 , H01J37/22 , H01J37/28

FI (3件)：

H01L21/66 J , H01J37/22 502H , H01J37/28 B

Fターム (12件)：

4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106BA14 , 4M106CA02 , 4M106CA04 , 4M106CA39 , 4M106DB05 , 4M106DJ20 , 4M106DJ23 , 4M106DJ38 , 5C033UU04 , 5C033UU05

引用特許：

審査官引用 (4件)

電子回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-094134 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-097510
特開昭61-138107

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