特許
J-GLOBAL ID:200903001677740789

イオン注入装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 小川 信一 ,  野口 賢照 ,  斎下 和彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-416840
公開番号(公開出願番号):特開2005-174871
出願日: 2003年12月15日
公開日(公表日): 2005年06月30日
要約:
【課題】 1m〜2m角にも及ぶ大型の基板に対してイオン注入を行うイオン注入装置において、基板上への埃の付着を防止しながら、基板の走査及び移動の際に発生する基板の膨らみやばたつきを防止できるイオン注入装置を提供する。【解決手段】 イオンビームB1を発生するイオン源11,11Aと、該イオンビームB1をリボン状イオンビームB3に変化させるビーム偏向機構12,13,13Aと、前記リボン状イオンビームB3の照射方向と交差する方向に基板20を移動する基板スキャン機構15,15Aとを備えたイオン注入装置10,10Aにおいて、前記基板スキャン機構15,15Aを、基板20を鉛直方向から後方に5°〜30°傾斜させると共に、該基板20の背面を支持体15b,15Abで支持するように構成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
イオンビームを発生するイオン源と、該イオンビームをリボン状イオンビームに変化させるビーム偏向機構と、前記リボン状イオンビームの照射方向と交差する方向に基板を移動する基板スキャン機構とを備えたイオン注入装置において、前記基板スキャン機構を、基板を鉛直方向から後方に5°〜30°傾斜させると共に、該基板の背面を支持体で支持するように構成したことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (1件):
H01J37/317
FI (2件):
H01J37/317 A ,  H01J37/317 B
Fターム (4件):
5C034CC04 ,  5C034CC07 ,  5C034CC10 ,  5C034CC11
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)
引用文献:
審査官引用 (2件)
  • "三井造船のFPD装置戦略"
  • "三井造船のFPD装置戦略"

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