プローブカードの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129054
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306749
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】バンプの先端面に均一な凹凸を形成することにより、半導体チップの検査用電極の表面酸化膜が確実に破れるようにする。【構成】フレキシブル基板の表面に半導体チップの検査用電極と接続されるバンプを形成する。平坦な金属板20に、フレキシブル基板12のバンプ14よりも硬い材料よりなりバンプ14の径の半分以下の径の凸部又は凹部を有するメッキ層21を形成する。バンプ14の先端面に金属板20のメッキ層21を押しつけることにより、バンプ14の先端面に凹凸部を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上に形成された半導体チップの電気特性を検査するためのプローブカードの製造方法であって、配線基板の表面に、前記半導体チップの検査用電極と接続されるバンプを形成する工程と、押圧用基板に、前記バンプよりも硬い材料よりなり前記バンプの径の半分以下の径の凸部又は凹部を有する表面層を形成する工程と、前記バンプの先端面に前記押圧用基板の表面層を押しつけることにより、前記バンプの先端面に凹凸部を形成する工程とを備えていることを特徴とするプローブカードの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G01R 1/073 , G01R 31/26

FI (3件)：

H01L 21/66 B , G01R 1/073 E , G01R 31/26 J

引用特許：

審査官引用 (7件)

プローブ構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-134930 出願人：日東電工株式会社
特開平3-180769
裸の半導体回路ダイキャリア
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-290351 出願人：マイクロモジュール・システムズ・インコーポレイテッド

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