特許
J-GLOBAL ID：200903001725300400

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
古川 千里

古川 千里 について

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石川 正行

石川 正行 について

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菅原 秀人

菅原 秀人 について

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磯本 建次

磯本 建次 について


出願人/特許権者：
東芝電子エンジニアリング株式会社

東芝電子エンジニアリング株式会社 について

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株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-279211
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189562
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 製造工程数を減らし、成長層表面を保護し、品質を向上させれる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板21を成長室10内に設置し、TMG、TMI、TMA、NH3 ガス、及びSiH4 ガスの成長材料を用いてMOCVD法により、GaNバッファー層、n-GaN層、InGaN活性層、p-AlGaN層、p+ -GaNコンタクト層を成長させる。この化合物半導体装置を成長室10に設置したままSiH4 ガスを供給し、p+ -GaNコンタクト層の表面に保護薄膜を連続成長させる。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に積載された1層以上の成長層と、該成長層の最上層上に誘電体薄膜もしくは絶縁薄膜が形成される化合物半導体装置において、前記成長層と誘電体薄膜もしくは絶縁薄膜が、同一製造装置内で連続形成されたものであることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L 21/31 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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