特許
J-GLOBAL ID：200903069409816199
半導体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-190467
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056015
出願日： 1994年08月12日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 青色半導体レーザ素子製造に適した転位や点欠陥の少ない高品質なAlGaInN薄膜の形成方法を提供する。【構成】 基板を配置した加熱体の回転速度が300回転/分以上とし、1200°Cに加熱したSi基板11上にメタンガスを導入し、SiからSiCに連続的に変化する炭化層を形成する。600°Cに低下させ、20nmのGaN非単結晶12を形成する。次いで、900°C以上の基板温度でGaN層13を形成し、前記GaN層上に300〜900°Cの範囲内に設定した基板温度で前記GaN層13に格子整合するAlGaInN層15を形成する。AlGaInN薄膜の形成はアルキルアミン系、ヒドラジン系もしくはアルキルアミン系、ヒドラジン系とアンモニアの混合原料を窒素原料とする。転位や点欠陥の少ない高品質なAlGaInN薄膜を低温で形成できる。
請求項（抜粋）：
加熱された基板表面上に3族構成元素を含む原料および窒素を含む原料を供給して緩衝層を介してAlGaInN薄膜を形成する方法において、前記基板を配置した加熱体の回転速度が300回転/分以上であって、900°C以上の基板温度でGaN層を形成し、前記GaN層上に300〜900°Cの範囲内に設定した基板温度でAlGaInN層を形成する方法であって、前記AlGaInN層の形成はアルキルアミン系、ヒドラジン系もしくはアルキルアミン系、ヒドラジン系とアンモニアの混合原料を窒素原料とすることを特徴とするAlGaInN薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 3/18
