特許

J-GLOBAL ID：200903001747338983

プラズマCVD法

発明者： 山崎 舜平 ,  坂間 光範 ,  ▲ひろ▼木 正明
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317524
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139381
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【目的】プラズマCVD法による成膜工程で生ずる半導体デバイスの劣化を抑制する。【構成】 プラズマCVD法により、TEOSを原料にして、層間絶縁膜となるシリコン酸化膜116を成膜工程において、RF出力を50Wで発振させて、放電後(O2 プラズマ発生後)にRF出力を50Wから250W(成膜時の出力値)まで段階的に上昇させる。RF出力が250Wに成るのと同時に、或いはタイミングをずらして、TEOSガスを供給して、成膜を開始する。この結果、放電開始時は低出力でRF電源を発振させるようにしたため、RF電極間の電圧が過渡的に大きな変化するのを抑制することがてきる。

請求項（抜粋）：

RF電源の出力を成膜時の値まで段階的又は連続的に上昇させることを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-334723   出願人：株式会社ジーティシー
• 特開平4-123424
  
• プラズマ処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-107909   出願人：日新電機株式会社