特許
J-GLOBAL ID：200903001748166000
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-373097
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210106
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 発生する電磁ノイズを低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置100は、積層された複数の半導体チップ110を有する。半導体装置100では、半導体チップ110を貫通する貫通電極により、チップ間が電気的に接続される。各半導体チップ110には、複数の電源貫通電極121とグランド貫通電極122とによって電源が供給される。信号貫通電極123と、電源貫通電極121及びグランド貫通電極122とは、近接して配置され、信号貫通電極123が出力を変化した際に流れる電流経路のループ面積が削減されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
それぞれがチップ外信号線を介してチップ外に信号を出力する、積層された複数の半導体チップと、それぞれが前記チップ外信号線、電源線、及び、グランド線を構成し前記複数の半導体チップを貫通して延びる複数の貫通電極とを備える半導体装置において、
少なくとも1つの前記チップ外信号線を構成する貫通電極が、前記電源線を構成する貫通電極と前記グランド線を構成する貫通電極の双方に隣接して配置されることを特徴とする記載の半導体装置。
IPC (3件)：
H01L25/065
, H01L25/07
, H01L25/18
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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