超伝導フィルタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-020555
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217608
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】高温超伝導体からなる導体膜パターンを用いた高周波平面型の超伝導フィルタにおいて、導体膜パターンの電場集中を大幅に緩和して耐電力性の向上を図るとともに、更なる小型化への要請にも十分に応えることを可能とする。【解決手段】基板106,107の表面に、導体膜パターン115,116,117の電気信号の定在波が発生して電界が集中する部位、ここでは導体膜パターン115,116,117の周縁部を囲み、導電膜パターンを含む基板断面において、実効的な最大寸法、即ち短手方向の溝断面寸法が1/4λ未満となるように溝118a〜123aを形成し、当該溝118a〜123a内に基板106,107を構成する誘電体の誘電率に比して低誘電率の誘電体118〜123を充填する。

請求項（抜粋）：

第1の誘電体からなる基板表面の2箇所以上に超伝導体からなる導体膜パターンを有し、隣接する前記導体膜パターン間に特性インピーダンスを有する超伝導フィルタであって、電気信号の定在波の発生により前記導体膜パターンの電界が集中するパターン端部に沿って、前記第1の誘電体より低い誘電率の第2の誘電体を配置し、又は前記基板の前記部位に沿った部分を前記第2の誘電体に置換してなることを特徴とする超伝導フィルタ。

IPC (4件)：

H01P 1/203 ZAA , H01L 39/00 ZAA , H01L 39/24 ZAA , H01P 7/08 ZAA

FI (4件)：

H01P 1/203 ZAA , H01L 39/00 ZAA Z , H01L 39/24 ZAA F , H01P 7/08 ZAA

Fターム (24件)：

4M113AC44 , 4M113AD35 , 4M113AD36 , 4M113AD37 , 4M113AD42 , 4M113AD68 , 4M113BA01 , 4M113CA31 , 4M113CA34 , 4M113CA35 , 5J006HB04 , 5J006HB05 , 5J006HB12 , 5J006HB14 , 5J006JA01 , 5J006LA06 , 5J006LA08 , 5J006LA21 , 5J006NA08 , 5J006NB07 , 5J006NC02 , 5J006NE03 , 5J006NE15 , 5J006PB04

引用特許：

審査官引用 (4件)

マイクロストリップラインフィルター
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-162421 出願人：日本電気株式会社
特開平4-368005
高温超伝導体デバイスの電力処理能力を向上させる方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-525721 出願人：スーパーコンダクター・テクノロジーズ・インコーポレイテッド

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