特許
J-GLOBAL ID：200903001766502115
シリコン膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 恒久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-133185
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321536
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 高速にかつ低温でシリコン膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 高次シランの溶液と触媒との混合物を基板6上に塗布して熱分解し、シリコン膜を形成する。高次シランとしては、一般式SinH2n+2(nはn≧3の整数)で表される高次シラン、または一般式SinHlXm(Xは塩素、フッ素、臭素またはヨウ素のいずれかであり、l+m=2n+2、nはn≧3の整数)で表されるハロゲン化高次シランを用いる。触媒としては、ニッケル、鉄、コバルトまたは白金の少なくとも一つを含有する物質または溶液からなるものを用いる。
請求項（抜粋）：
高次シランの溶液と触媒との混合物を熱分解して、シリコン膜を基板上に形成することを特徴とするシリコン膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/208
, C23C 18/08
, C23C 18/14
, H01L 31/04
H01L 21/208 Z
, C23C 18/08
, C23C 18/14
, H01L 31/04 X
