特許
J-GLOBAL ID:200903001804865154
アクティブマトリクス型表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森岡 正樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-180183
公開番号(公開出願番号):特開2002-373990
出願日: 2001年06月14日
公開日(公表日): 2002年12月26日
要約:
【要約】【課題】本発明は、多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス型表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法に関し、優れたTFT特性及び表示品質が得られる周辺回路一体型のアクティブマトリクス型表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】複数のバスラインで画定された複数の画素領域がマトリクス状に配置された表示領域と、表示領域の周囲に配置された周辺回路形成領域と、ガラス基板2上に形成され、(100)優先配向多結晶シリコン薄膜9で形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタ27と、ガラス基板2上に形成され、(111)優先配向多結晶シリコン薄膜8で形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタ26とを有するように構成する。
請求項(抜粋):
基板上に形成された複数のバスラインと、前記複数のバスラインで画定された複数の画素領域がマトリクス状に配置された表示領域と、前記表示領域の周囲に配置された周辺回路形成領域と、前記基板上に形成され、(100)優先配向多結晶シリコン薄膜で形成されたチャネル領域を有する第1の薄膜トランジスタと、前記基板上に形成され、(111)優先配向多結晶シリコン薄膜で形成されたチャネル領域を有する第2の薄膜トランジスタとを有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置用基板。
IPC (5件):
H01L 29/786
, G02F 1/1368
, H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 27/08 331
FI (6件):
G02F 1/1368
, H01L 21/20
, H01L 27/08 331 E
, H01L 29/78 620
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 613 A
Fターム (65件):
2H092JA24
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA27
, 2H092MA29
, 2H092MA30
, 2H092NA25
, 2H092PA01
, 2H092PA06
, 5F048AC04
, 5F048BA10
, 5F048BA16
, 5F048BB09
, 5F048BG07
, 5F052AA02
, 5F052AA11
, 5F052BA02
, 5F052BA12
, 5F052BB07
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052DB02
, 5F052DB03
, 5F052DB07
, 5F052EA01
, 5F052HA03
, 5F052JA01
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF22
, 5F110FF25
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG17
, 5F110GG25
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HJ01
, 5F110HJ12
, 5F110HJ23
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL12
, 5F110NN02
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110NN78
, 5F110PP03
, 5F110PP05
, 5F110PP13
, 5F110PP31
, 5F110PP35
, 5F110QQ11
引用特許:
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