特許

J-GLOBAL ID：200903001828309198

ドライエッチング方法

発明者： 神澤 公 ,  中村 孝 ,  金田 賢二
出願人/特許権者： ローム株式会社 ,  株式会社プラズマシステム
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059696
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251983
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 デポを発生させることなく、PZT、Ir系等の膜をエッチングし得るドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 PZT膜2をレジスト3をマスクとして平行平板型RIE装置を用いてエッチングする。エッチングガスとしてBCl3 とCl2 の混合ガスを用いると、揮発性の高い反応生成物が得られることによって、デポの発生がなく、エッチングを行うことができる。

請求項（抜粋）：

強誘電材料膜であるチタン酸ジルコン酸鉛系膜、ストロンチウム系膜、ビスマス系膜、電極材料膜であるイリジウム系膜、白金/チタン系膜、の各単層膜、またはこれらの膜の組合せからなる積層膜のドライエッチング方法であって、エッチングガスとして塩素系ガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (9件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  C30B 33/12 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 E ,  C30B 33/12 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• Pt膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-175364   出願人：シャープ株式会社
• 高融点金属含有膜のエッチング方法及び薄膜キャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214939   出願人：三菱電機株式会社
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-115593   出願人：日本電気株式会社
• 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-302703   出願人：三菱電機株式会社