特許
J-GLOBAL ID：200903038948768332
高融点金属含有膜のエッチング方法及び薄膜キャパシタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214939
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078397
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 薄膜キャパシタの下部電極をテーパー形状にエッチングする。【構成】 シリコン基板1の表面を酸化して得られたシリコン酸化膜2を下地として下部白金電極膜3を形成し、エッチング加工用マスクとしてフォトレジストパターン5を形成する。その後、塩素ガスをエッチングガスとしてエッチングを行う。その際、エッチングの反応生成物がフォトレジストパターン5の側壁に付着して側壁付着膜9を形成する。この側壁付着膜9の厚みはエッチングの進行と共に増大する一方、フォトレジストパターン5は、その上端の角部分よりテーパー形状にエッチングされていくため、側壁付着膜9はエッチングの進行と共にフォトレジストパターン5の下部へと移動し、その厚みを更に増大していく。その結果、下部白金電極膜3はテーパー角度4を有するテーパー形状にエッチングされる。
請求項（抜粋）：
下地に形成された高融点金属含有膜を当該高融点金属含有膜上に垂直に形成したフォトレジストパターンをマスクとしてエッチングする方法であって、前記エッチングの反応ガスとして塩素ガスを導入し、前記塩素ガスによって前記高融点金属含有膜をエッチングすることを特徴とする高融点金属含有膜のエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 21/302 F
, H01L 21/302 M
, H01L 27/04 C
