特許

J-GLOBAL ID：200903001849362021

半導体パッケージのリードフレーム材およびリードフレーム材への半田めっき方法ならびに半導体パッケージ

発明者： 富岡 靖夫
出願人/特許権者： 日鉱金属株式会社
代理人 (1件)： 末成 幹生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053976
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244398
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 リードフレーム材を半田めっきする際に、めっき層の表面に異常電着物による突起が発生することを防止する。【解決手段】 リードフレーム材を銅合金からなるものとし、半田めっきの前処理として化学研磨を行う。化学研磨後の表面に残存する直径1μm以上の第2相粒子の数を、2000個/mm2以下とする。

請求項（抜粋）：

銅合金からなり、表面が化学研磨処理された後に半田めっきが施されるリードフレーム材であって、前記化学研磨処理により、該リードフレーム材の表面に残存する直径1μm以上の第2相粒子の数が2000個/mm2以下とされていることを特徴とする半導体パッケージのリードフレーム材。

IPC (9件)：

H01L 23/50 ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/06 ,  C25D 3/60 ,  C25D 5/02 ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/12

FI (11件)：

H01L 23/50 A ,  H01L 23/50 D ,  H01L 23/50 V ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/06 ,  C25D 3/60 ,  C25D 5/02 A ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/12

Fターム (24件)：

4K023AB34 ,  4K023BA13 ,  4K023BA29 ,  4K023DA06 ,  4K023DA11 ,  4K024AA22 ,  4K024AB01 ,  4K024BA09 ,  4K024BB13 ,  4K024BC10 ,  4K024CA01 ,  4K024CA07 ,  4K024CA10 ,  4K024DA05 ,  4K024FA02 ,  4K024GA02 ,  5F067AA01 ,  5F067AA10 ,  5F067AA15 ,  5F067DA00 ,  5F067DC06 ,  5F067DC11 ,  5F067DC16 ,  5F067EA04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体パッケージ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-148881   出願人：株式会社日立製作所
• 酸化膜密着性の高いリードフレーム用銅合金
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-117067   出願人：日鉱金属株式会社