特許
J-GLOBAL ID：200903001852254981

高周波半導体装置

発明者：
神谷 真司

神谷 真司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-081062
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007140
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 高周波半導体回路チップの本来の性能を引き出すことが可能な高周波半導体装置を提供する。【解決手段】 チップ内の出力段トランジスタ2のコレクタとエミッタ(またはドレインとソース)の配線は通常、信号線4と接地線5の関係にある。これらの信号線4と接地線5の電流位相は、通常180°異なっている。信号線4と接地線5のボンディングワイヤを隣り合う様に近接させて平行に配置することで、お互いのボンディングワイヤが作り出す磁界が打ち消しあい、該各ボンディングワイヤの等価インダクタンス値を低減させることができる。
請求項（抜粋）：
高周波半導体回路チップと、該高周波半導体回路チップを搭載した基板と、該高周波半導体回路チップと該基板を接続する信号線及び該信号線に対応する接地線とを備え、該信号線及び該接地線は、該信号線及び該接地線が作り出す磁界が打ち消されるような位置に配置される高周波半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件)：
H01L 21/60 301 A ,  H01L 27/04 D
Fターム (15件)：
5F038AZ06 ,  5F038BE07 ,  5F038CD04 ,  5F038CD05 ,  5F038CD18 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ04 ,  5F038EZ20 ,  5F044AA01 ,  5F044AA20 ,  5F044EE02 ,  5F044FF04 ,  5F044FF08 ,  5F044GG03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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